Source: Materials Science and Engineering: B. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, ESTRUTURA ELETRÔNICA (MODELOS MATEMÁTICOS), SEMICONDUTORES (PROPRIEDADES MAGNÉTICAS), FÍSICA ATÔMICA, FÍSICA MOLECULAR
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ABNT
RIBEIRO, M et al. CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections. Materials Science and Engineering: B, v. 177, n. 16 p. 1460–1464 2012, 2012Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.044. Acesso em: 11 maio 2024.APA
Ribeiro, M., Ferreira, L. G., Fonseca, L. R. C., & Ramprasad, R. (2012). CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections. Materials Science and Engineering: B, 177( 16 p. 1460–1464 2012). doi:10.1016/j.mseb.2011.12.044NLM
Ribeiro M, Ferreira LG, Fonseca LRC, Ramprasad R. CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections [Internet]. Materials Science and Engineering: B. 2012 ;177( 16 p. 1460–1464 2012):[citado 2024 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.044Vancouver
Ribeiro M, Ferreira LG, Fonseca LRC, Ramprasad R. CdSe/CdTe interface band gaps and band offsets calculated using spin–orbit and self-energy corrections [Internet]. Materials Science and Engineering: B. 2012 ;177( 16 p. 1460–1464 2012):[citado 2024 maio 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.mseb.2011.12.044